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更新时间:2026-04-12
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国家知识产权局信息显示,宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“硅单晶滑移线的处理方法及检测方法”的专利,公开号CN121830214A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明提供的硅单晶滑移线的处理方法及检测方法,属于滑移线检测技术领域,该方法通过充分浸泡使硅片表面均匀附着硝酸铜溶液,随后在高温热处理过程中,过饱和的过渡族金属原子向硅中扩散,并在降温过程中形成复合体或沉淀,实现缺陷的“缀饰”效果。接着通过择优腐蚀,使内部缺陷得以放大并显影,从而清晰呈现滑移线形貌;该方法具有检测时间短、结果清晰易判的优点,且对硅片表面状态无特殊要求,适用于不同掺杂类型与所有晶向的硅片,无需针对具体材料调整腐蚀液配方,显著提升了检测的通用性与操作便捷性。
天眼查资料显示,宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司,成立于2015年,位于银川市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析,宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次,专利信息384条,此外企业还拥有行政许可25个。
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